एक $P-N$ जंक्शन डायोड $10 \ mA$ की धारा के साथ फॉरवर्ड बायस स्थिति में है। डायोड के सिरों पर विभव पतन (potential drop) $0.5 \ V$ है। यह मानते हुए कि धारा विभव से स्वतंत्र है,इस फॉरवर्ड बायस स्थिति को बनाए रखने के लिए $200 \ \Omega$ के प्रतिरोधक के साथ श्रेणीक्रम में जुड़ी बैटरी का अधिकतम वोल्टेज कितना होगा? (in $V$)
- A$1.8$
- B$4.2$
- C$2.5$
- D$3$
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चित्र में दिखाए गए परिपथ के लिए,दो स्थितियों $(i)$ $V_A > V_B$ और (ii) $V_B > V_A$ के लिए बिंदुओं $A$ और $B$ के बीच तुल्य प्रतिरोध क्रमशः $\qquad \Omega$ और $\qquad \Omega$ है। ($D_1$ और $D_2$ आदर्श डायोड हैं)
जब एक $P-N$ जंक्शन पर कोई बायस लागू नहीं किया जाता है,तो धारा:
Easy
View Solutionयदि नीचे दिए गए परिपथ में डायोड आदर्श हैं,तो सेल से होकर बहने वाली धारा क्या है ($A$ में)?
एक अनबायस्ड सेमीकंडक्टर डायोड में डिप्लीशन रीजन वह क्षेत्र है जिसमें क्या होता है?
यदि एक $p-n$ जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस में है,तो:
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