જો કોઈ ફોટોમેટલનું કાર્ય વિધેય (work function) $6.825 \; eV$ હોય,તો તેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ ............. $\mathring A$ હશે $(c = 3 \times 10^8 \; m/s)$.

પ્રકાશ તરંગ સાથે સંકળાયેલ બિંદુ પર વિદ્યુતક્ષેત્ર $E = 200 [\sin(6 \times 10^{15} t) + \sin(9 \times 10^{15} t)] \, Vm^{-1}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે. આપેલ છે: $h = 4.14 \times 10^{-15} \, eVs$. જો આ પ્રકાશ $2.50 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ........... $eV$ હશે.

જ્યારે પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. આ ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે:

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માં, સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ શેના પર આધાર રાખે છે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં આપાત પ્રકાશની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $380 \, nm$ છે. જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $260 \, nm$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે: .............. $eV$. આપેલ છે: $E \text{ (in } eV) = \frac{1237}{\lambda \text{ (in } nm)}$.

આપેલ પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_{0}$ અને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $\nu$ વચ્ચેનો ફેરફાર એક સીધી રેખા છે [આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $\nu$ એ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $\nu_{0}$ કરતા વધારે છે]. આ રેખાનો ઢાળ . . . . . . છે.