જ્યારે પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. આ ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે:

ધાતુનું કાર્ય વિધેય $2.3 \ eV$ છે અને આપાત ફોટોનની તરંગલંબાઈ $4.84 \times 10^{-7} \ m$ છે. ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $eV$ માં કેટલી થાય?

એક ચોક્કસ પ્રયોગમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $1.5 \; V$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી છે?

બે ફોટોન, જેની પ્રત્યેકની ઊર્જા $2.5 \ eV$ છે, તે $4.5 \ eV$ કાર્ય વિધેય ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. તો . . . . . . .

એક ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. આ પ્રકાશ માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3V_0$ છે. જો તે જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ મળે છે. આ સપાટી માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલમાં,આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $4000 \, \mathring{A}$ થી બદલીને $3600 \, \mathring{A}$ કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ફેરફાર ............. $V$ હશે.