$p-$ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,મુખ્ય ચાર્જ કેરિયર્સ કયા છે?

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં, એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $57 \, meV$ પર છે। હોલ ઉત્પન્ન કરવા માટે જરૂરી પ્રકાશની તરંગલંબાઇ $\mathring{A}$ માં કેટલી હશે? (આપેલ છે: $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J \cdot s$, $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, $1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J$)

$P-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ એટલે શું?

અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની મોબિલિટીને તેમના ડ્રિફ્ટ વેગ અને લાગુ કરેલા વિદ્યુતક્ષેત્રના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે. જો $n$-પ્રકારના અર્ધવાહક માટે,ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા $10^{19} \ m^{-3}$ હોય અને તેમની મોબિલિટી $1.6 \ m^2/(V \cdot s)$ હોય,તો અર્ધવાહકની અવરોધકતા (કારણ કે તે $n$-પ્રકારનો અર્ધવાહક છે,હોલ્સનું યોગદાન અવગણવામાં આવે છે) ................ $\Omega \cdot m$ ની નજીક છે.

જો $n_e$ અને $v_d$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા અને ડ્રિફ્ટ વેગ હોય,તો તાપમાન વધારવામાં આવે ત્યારે શું થાય છે?

$P$-પ્રકારના $Si$ સેમિકન્ડક્ટર મેળવવા માટે,આપણે શુદ્ધ $Si$ માં શેનું ડોપિંગ કરવું જોઈએ?