$P$-પ્રકારના $Si$ સેમિકન્ડક્ટર મેળવવા માટે,આપણે શુદ્ધ $Si$ માં શેનું ડોપિંગ કરવું જોઈએ?

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોનમાં ઈલેક્ટ્રોન $n_e$ અને હોલ $n_h$ ની સાંદ્રતા $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમના ડોપિંગ દ્વારા $n_h$ વધારીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ કરવામાં આવે છે. તો ડોપ્ડ સિલિકોનમાં ઈલેક્ટ્રોન $n_e$ ની સાંદ્રતા ગણો.

જો $n_{e}$ અને $n_{h}$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા હોય,તો ઉષ્મીય સંતુલનમાં આંતરિક વાહક સાંદ્રતા $(n_i)$ કેટલી થાય?

$P-$ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,જર્મેનિયમમાં શેની અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે?

જો $N_A$ એ ઉમેરવામાં આવેલા એક્સેપ્ટર પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા હોય અને $N_D$ એ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઉમેરવામાં આવેલા ડોનર પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા હોય,અને $n_e$ તથા $n_h$ એ તેમાં રહેલા ઈલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા ઘનતા હોય,તો:

$n-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં,નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?