$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોનમાં ઈલેક્ટ્રોન $n_e$ અને હોલ $n_h$ ની સાંદ્રતા $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમના ડોપિંગ દ્વારા $n_h$ વધારીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ કરવામાં આવે છે. તો ડોપ્ડ સિલિકોનમાં ઈલેક્ટ્રોન $n_e$ ની સાંદ્રતા ગણો.

  • A
    $5 \times 10^9 \ m^{-3}$
  • B
    $3 \times 10^9 \ m^{-3}$
  • C
    $1.9 \times 10^{12} \ m^{-3}$
  • D
    $6.8 \times 10^8 \ m^{-3}$

Explore More

Similar Questions

જ્યારે અર્ધવાહકમાં અશુદ્ધિના પરમાણુઓની થોડી માત્રા ઉમેરવામાં આવે છે, ત્યારે સામાન્ય રીતે તેની અવરોધકતા:

એક સિલિકોન નમૂનાને $p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં ફેરવવા માટે સરેરાશ દર $5 \times 10^7$ સિલિકોન પરમાણુ દીઠ એક ઇન્ડિયમ પરમાણુ ઉમેરવામાં આવે છે. જો સિલિકોન નમૂનામાં પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \text{ atoms } m^{-3}$ હોય,તો સિલિકોનમાં પ્રતિ ઘન સેન્ટિમીટર સ્વીકારક (acceptor) પરમાણુઓની સંખ્યા કેટલી હશે?

Difficult
View Solution

ડોનર અશુદ્ધિ સાથે ડોપ કરેલ સેમિકન્ડક્ટર એ ........... છે.

$p$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર અને $n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર વચ્ચેનો તફાવત દર્શાવતા ચાર મુદ્દાઓ લખો.

જર્મેનિયમમાં ઇન્ડિયમની અશુદ્ધિ ઉમેરવાથી શું બને છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo