$p$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર અને $n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર વચ્ચેનો તફાવત દર્શાવતા ચાર મુદ્દાઓ લખો.

એક શુદ્ધ સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક) માં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા સમાન $10^{16} \ m^{-3}$ છે. ગેલિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_{h}$ વધીને $5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. તો,ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરમાં $n_{e}$ નું મૂલ્ય કેટલું હશે?

$n$-પ્રકાર અને $p$-પ્રકારના અર્ધવાહક શુદ્ધ સિલિકોનમાં અનુક્રમે કોનું ડોપિંગ (doping) કરીને મેળવી શકાય છે?

$N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર્સમાં,મુખ્ય ચાર્જ કેરિયર્સ કયા છે?

નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે? $p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરને શેના વડે ડોપ કરવામાં આવે છે?

જ્યારે અર્ધવાહકમાં અશુદ્ધિના પરમાણુઓની થોડી માત્રા ઉમેરવામાં આવે છે, ત્યારે સામાન્ય રીતે તેની અવરોધકતા: