નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે? $p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરને શેના વડે ડોપ કરવામાં આવે છે?

સેમિકન્ડક્ટરમાં રહેલા ડોનર પરમાણુમાં એક ઢીલી રીતે બંધાયેલો ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. આ ઇલેક્ટ્રોનની કક્ષા સેમિકન્ડક્ટર મટીરીયલ દ્વારા નોંધપાત્ર રીતે પ્રભાવિત થાય છે,પરંતુ તે ઘણી રીતે હાઇડ્રોજન ન્યુક્લિયસની આસપાસ ફરતા ઇલેક્ટ્રોન જેવું વર્તન કરે છે. જો ઇલેક્ટ્રોનનું અસરકારક દળ $0.07 \, m_e$ હોય,જ્યાં $m_e$ એ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનનું દળ છે અને જે અવકાશમાં તે ગતિ કરે છે તેની પરમિટિવિટી $13 \, \varepsilon_0$ છે,તો ઇલેક્ટ્રોનની સૌથી નીચી ઉર્જા કક્ષાની ત્રિજ્યા આશરે ................. $\mathring{A}$ હશે (હાઇડ્રોજન પરમાણુની બોહર ત્રિજ્યા $0.53 \mathring{A}$ લો).

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન ક્રિસ્ટલની વાહકતા કેટલી હશે? પ્રતિ $cm^3$ ઈલેક્ટ્રોન-હોલ જોડકાંની સંખ્યા $1.072 \times 10^{10}$ છે. આપેલ છે: $\mu_n = 1350 \ cm^2/V \cdot s$ અને $\mu_p = 480 \ cm^2/V \cdot s$.

જર્મેનિયમના નમૂનામાં,અશુદ્ધિ તરીકે ગેલિયમના નિશાન ઉમેરવામાં આવે છે. પરિણામી નમૂનો કેવો વ્યવહાર કરશે?

$P-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ એટલે શું?

$p$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર અને $n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર વચ્ચેનો તફાવત દર્શાવતા ચાર મુદ્દાઓ લખો.