જર્મેનિયમના નમૂનામાં,અશુદ્ધિ તરીકે ગેલિયમના નિશાન ઉમેરવામાં આવે છે. પરિણામી નમૂનો કેવો વ્યવહાર કરશે?

$500\,K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન છે,જે $1.5 \times 10^{16}\,m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22}\,m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું છે?

$n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

સિલિકોનમાં ડોનર (દાતા) ની લાક્ષણિક આયનીકરણ ઉર્જા .....$eV$ છે.

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા સમાન $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h = 4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. તો ડોપ્ડ સિલિકોનમાં $n_e$ કેટલું હશે?

જ્યારે અર્ધવાહકમાં થોડી માત્રામાં અશુદ્ધિના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે સામાન્ય રીતે તેની અવરોધકતા