$N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર્સમાં,મુખ્ય ચાર્જ કેરિયર્સ કયા છે?

નીચે દર્શાવેલ પદાર્થના એનર્જી બેન્ડ ડાયાગ્રામમાં,ખુલ્લા વર્તુળો અને ભરેલા વર્તુળો અનુક્રમે હોલ અને ઇલેક્ટ્રોન દર્શાવે છે. આ પદાર્થ કયો છે?

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં, એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $57 \, meV$ પર છે। હોલ ઉત્પન્ન કરવા માટે જરૂરી પ્રકાશની તરંગલંબાઇ $\mathring{A}$ માં કેટલી હશે? (આપેલ છે: $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J \cdot s$, $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, $1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J$)

એક આંતરિક અર્ધવાહકમાં,વાહક ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા $7.07 \times 10^{15} \, m^{-3}$ છે. જ્યારે તેને ઇન્ડિયમ સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે,ત્યારે હોલ્સની ઘનતા $5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ થાય છે. ડોપ્ડ અર્ધવાહકમાં વાહક ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા શોધો.

$1 \ m^3$ દીઠ સિલિકોન પરમાણુઓની સંખ્યા $5 \times 10^{28}$ છે. આમાં $4.5 \times 10^{21}$ પરમાણુ $/ m^3$ આર્સેનિક ઉમેરવામાં આવે છે. ડોપિંગ પછી ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને હોલ્સની સંખ્યાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે? ($n_i = 1.5 \times 10^{16} / m^3$ લો)

$500\,K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન છે,જે $1.5 \times 10^{16}\,m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22}\,m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું છે?