નીચે દર્શાવેલ પદાર્થના એનર્જી બેન્ડ ડાયાગ્રામમાં,ખુલ્લા વર્તુળો અને ભરેલા વર્તુળો અનુક્રમે હોલ અને ઇલેક્ટ્રોન દર્શાવે છે. આ પદાર્થ કયો છે?

$P$-પ્રકારના $Si$ સેમિકન્ડક્ટર મેળવવા માટે,આપણે શુદ્ધ $Si$ માં શેનું ડોપિંગ કરવું જોઈએ?

એક સિલિકોન નમૂનાને $p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં ફેરવવા માટે સરેરાશ દર $5 \times 10^7$ સિલિકોન પરમાણુ દીઠ એક ઇન્ડિયમ પરમાણુ ઉમેરવામાં આવે છે. જો સિલિકોન નમૂનામાં પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \text{ atoms } m^{-3}$ હોય,તો સિલિકોનમાં પ્રતિ ઘન સેન્ટિમીટર સ્વીકારક (acceptor) પરમાણુઓની સંખ્યા કેટલી હશે?

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં ઈલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન છે,જે $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમ વડે ડોપિંગ કરવાથી,હોલની સાંદ્રતા વધીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. ડોપ્ડ $Si$ માં નવી ઈલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $(n_e)$ ગણો.

શુદ્ધ $Ge$ માટે આંતરિક વાહક ઘનતા $10^{19} \ m^{-3}$ છે. જો $10^{23} \ m^{-3}$ ઘનતા ધરાવતી દાતા અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે,તો હોલની ઘનતા ($m^{-3}$ માં) કેટલી થશે?

$n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,ઈલેક્ટ્રોન મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સ છે,પરંતુ તે કોઈ ઋણ વીજભાર દર્શાવતું નથી. તેનું કારણ શું છે?