$P$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) में क्या होता है?

जब एक अर्धचालक (semiconductor) को दाता अशुद्धि (donor impurity) के साथ डोप किया जाता है,

एक अर्धचालक में,$27^{\circ} \text{C}$ पर आंतरिक आवेश वाहकों की संख्या घनत्व $1.5 \times 10^{16} \, \text{m}^{-3}$ है। यदि अर्धचालक को अशुद्धि परमाणुओं के साथ डोप किया जाता है,तो होल घनत्व बढ़कर $4.5 \times 10^{22} \, \text{m}^{-3}$ हो जाता है। डोप किए गए अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन घनत्व $..... \times 10^{9} \, \text{m}^{-3}$ है।

जब एक अर्धचालक में थोड़ी मात्रा में अशुद्धि परमाणु मिलाए जाते हैं,तो सामान्यतः इसकी प्रतिरोधकता:

एक शुद्ध $Si$ क्रिस्टल में $4 \times 10^{28}$ परमाणु प्रति $m^3$ हैं। इसे $1 \text{ ppm}$ एंटीमनी की सांद्रता के साथ डोप किया जाता है। उपलब्ध मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या होगी

$N$-प्रकार के अर्धचालकों में,बहुसंख्यक आवेश वाहक होते हैं