जब एक अर्धचालक (semiconductor) को दाता अशुद्धि (donor impurity) के साथ डोप किया जाता है,

जब एक $N-$ प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) को गर्म किया जाता है,तो आवेश वाहकों (charge carriers) के साथ क्या होता है?

अर्धचालक में एक धनात्मक होल (positive hole) क्या है?

$P$-प्रकार के अर्धचालक में वैलेंस बैंड के ऊपर $57 \, meV$ पर एक्सेप्टर स्तर है। होल बनाने के लिए आवश्यक प्रकाश की अधिकतम तरंगदैर्ध्य क्या है? (प्लांक नियतांक $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J-s$)

एक शुद्ध अर्धचालक की चालकता को किसके द्वारा बढ़ाया जा सकता है?

एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में ऊर्जा अंतराल $E_{g}$,$1.2 \; eV$ है। इसकी होल गतिशीलता इलेक्ट्रॉन गतिशीलता से बहुत कम है और तापमान से स्वतंत्र है। $600 \; K$ और $300 \; K$ पर चालकता का अनुपात क्या है? मान लीजिए कि आंतरिक वाहक सांद्रता $n_{i}$ की तापमान निर्भरता $n_{i} = n_{0} \exp \left(-\frac{E_{g}}{2 k_{B} T}\right)$ द्वारा दी गई है,जहाँ $n_{0}$ एक स्थिरांक है।