एक अनबायस्ड PN-जंक्शन में,जंक्शन पर विभव (pot | vedclass

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Question

(B) जब एक $P$-प्रकार के अर्धचालक को $N$-प्रकार के अर्धचालक के साथ जोड़कर $PN$-जंक्शन बनाया जाता है,तो इलेक्ट्रॉन $N$-क्षेत्र से $P$-क्षेत्र में और होल

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$N$ पक्ष पर उच्च विभव और $P$ पक्ष पर निम्न विभव होता है।

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(B) जब एक $P$-प्रकार के अर्धचालक को $N$-प्रकार के अर्धचालक के साथ जोड़कर $PN$-जंक्शन बनाया जाता है,तो इलेक्ट्रॉन $N$-क्षेत्र से $P$-क्षेत्र में और होल $P$-क्षेत्र से $N$-क्षेत्र में विसरित (diffuse) होते हैं।यह विसरण जंक्शन के पास एक अवक्षय परत (depletion layer) बनाता है।आवेश वाहकों के स्थानांतरण के कारण,$N$-पक्ष $P$-पक्ष की तुलना में धनावेशित हो जाता है,जिससे $N$-पक्ष से $P$-पक्ष की ओर एक विद्युत क्षेत्र उत्पन्न होता है।परिणामस्वरूप,$P$-पक्ष निम्न विभव पर और $N$-पक्ष उच्च विभव पर होता है। इस विभवांतर को बैरियर विभव के रूप में जाना जाता है।

एक अनबायस्ड $PN$-जंक्शन में,जंक्शन पर विभव (potential) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?

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