ફોરવર્ડ બાયસ્ડ $PN$-જંકશન ડાયોડમાં,ડિપ્લેશન રિજનમાં પોટેન્શિયલ બેરિયર કયા સ્વરૂપમાં હોય છે...

નીચે આપેલા વિધાનો $A$ અને $B$ ને ધ્યાનમાં લો અને આપેલા જવાબોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો:
$A:$ $P-N$ જંકશન ડાયોડમાં ફોરવર્ડ બાયસમાં ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ વધે છે.
$B:$ આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં,ફર્મી એનર્જી લેવલ ફોરબિડન ગેપની બરાબર મધ્યમાં હોય છે.

જ્યારે જંકશન ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય ત્યારે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું નથી?

પરિપથમાં દર્શાવેલ ડાયોડ સિલિકોન ડાયોડ છે. બિંદુઓ $A$ અને $B$ વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત .....$V$ થશે.

$PN-$ જંકશનના ફોરવર્ડ બાયસિંગના કિસ્સામાં,નીચેનામાંથી કઈ આકૃતિ મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સના પ્રવાહની દિશાને યોગ્ય રીતે દર્શાવે છે?

જ્યારે $p-n$ જંકશન ડાયોડને રિવર્સ બાયસ આપવામાં આવે છે,ત્યારે પોટેન્શિયલ બેરિયર પર શું અસર થાય છે?