એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં,ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ $\lambda$ માટે,ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $K$ છે. જો ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

બે સમાન ફોટોકેથોડ $n_1$ અને $n_2$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ મેળવે છે. જો $m$ દળ ધરાવતા ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો વેગ અનુક્રમે $V_1$ અને $V_2$ હોય,તો ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક):

જ્યારે પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર પડે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા શેના પર આધાર રાખે છે?

જ્યારે ધાતુની સપાટી પર આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $\lambda_1$ થી ઘટાડીને $\lambda_2$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા ત્રણ ગણી થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય શોધો. [$h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c =$ પ્રકાશનો વેગ]

જ્યારે $300 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જક પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. બીજા ઉત્સર્જક માટે $600 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટો-ઉત્સર્જન માટે પૂરતો છે. બે ઉત્સર્જકોના કાર્ય વિધેય (work function) નો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $3 \ eV$ છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરવા માટે જરૂરી દ્રશ્ય પ્રકાશનો રંગ કયો છે?