એક સેમિકન્ડક્ટર $p-n$ ડાયોડમાં, $p$-બાજુ અને $n$-બાજુ પર ડોપિંગ સાંદ્રતા અનુક્રમે $10^{15} \text{ atoms/cm}^3$ અને $10^{18} \text{ atoms/cm}^3$ છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

• A
  ઇન્ટરફેસની બંને બાજુએ ડેપ્લેશન રિજનની પહોળાઈ સમાન હોય છે
• B
  $n$-બાજુની સરખામણીમાં $p$-બાજુ પર ડેપ્લેશન રિજનની પહોળાઈ વધુ હોય છે
• C
  $p$-બાજુની સરખામણીમાં $n$-બાજુ પર ડેપ્લેશન રિજનની પહોળાઈ વધુ હોય છે
• D
  $p$ અને $n$-બાજુઓ પર અસમાન ડોપિંગ સાંદ્રતાને કારણે કોઈ ડેપ્લેશન રિજન બનતો નથી