એક શ્રેણી $LCR$ સર્કિટમાં,$C = 2\,\mu F$,$L = 1\,mH$,અને $R = 10\,\Omega$ છે. જ્યારે સર્કિટમાં પ્રવાહ મહત્તમ હોય,ત્યારે કેપેસિટરમાં સંગ્રહિત ઉર્જા અને ઇન્ડક્ટરમાં સંગ્રહિત ઉર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

એક શ્રેણી $R-L-C$ સર્કિટમાં,સ્ત્રોતની આવૃત્તિ એ અનુનાદ આવૃત્તિ (resonance frequency) કરતા અડધી છે. સર્કિટનો પ્રકાર કેવો હશે?

આકૃતિમાં દર્શાવેલ શ્રેણી $LCR$ પરિપથ માટે,અનુનાદ આવૃત્તિ અને અનુનાદ આવૃત્તિ પર પ્રવાહનો કંપવિસ્તાર કેટલો છે?

$100 \Omega$ ના અવરોધ, $20 \text{ mH}$ ના ઇન્ડક્ટર અને ચલિત આવૃત્તિ ધરાવતા $AC$ વોલ્ટેજ સ્ત્રોત સાથે શ્રેણીમાં જોડાયેલ એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર $\frac{1250}{\pi} \text{ Hz}$ ની આવૃત્તિએ અનુનાદ (resonance) દર્શાવે છે. જો આ કેપેસિટરને $25 \text{ V}$ ના $DC$ વોલ્ટેજ સ્ત્રોત દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે, તો કેપેસિટરની દરેક પ્લેટ પર કેટલો વિદ્યુતભાર સંગ્રહિત થશે?

$C = 2 \mu F$,$L = 1 \ mH$ અને $R = 10 \ \Omega$ ધરાવતા શ્રેણી $LCR$ સર્કિટમાં,જ્યારે સર્કિટમાં પ્રવાહ મહત્તમ હોય,ત્યારે કેપેસિટરમાં સંગ્રહિત ઉર્જા અને ઇન્ડક્ટરમાં સંગ્રહિત ઉર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

એક શ્રેણી $LCR$ સર્કિટમાં,$C = 2 \mu F$,$L = 1 \text{ mH}$ અને $R = 10 \Omega$ છે. જ્યારે સર્કિટમાં મહત્તમ પ્રવાહ વહેતો હોય,ત્યારે ઇન્ડક્ટર અને કેપેસિટરમાં સંગ્રહિત ઉર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?