$n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં,અશુદ્ધિ પરમાણુઓ દ્વારા દાન કરવામાં આવેલા મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન કયા ઉર્જા સ્તરોમાં હોય છે?

જ્યારે જર્મેનિયમમાં ફોસ્ફરસ ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે ડોપ્ડ મટીરીયલમાં શું હોય છે?

જર્મેનિયમ સ્ફટિકમાં થોડા પ્રમાણમાં ઍન્ટિમની અશુદ્ધિ ઉમેરતાં શું થાય છે?

એક આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં એનર્જી ગેપ $E_{g}$ એ $1.2 \; eV$ છે. તેની હોલ મોબિલિટી ઇલેક્ટ્રોન મોબિલિટી કરતા ઘણી ઓછી છે અને તાપમાનથી સ્વતંત્ર છે. $600 \; K$ અને $300 \; K$ તાપમાને વાહકતાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે? ધારો કે આંતરિક કેરિયર સાંદ્રતા $n_{i}$ નું તાપમાન પરનું નિર્ભરતા $n_{i} = n_{0} \exp \left(-\frac{E_{g}}{2 k_{B} T}\right)$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $n_{0}$ એક અચળાંક છે.

$P-$ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,જર્મેનિયમમાં શેની અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે?

$n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં, ફર્મી એનર્જી લેવલ ક્યાં હોય છે?