n-प्रकार के अर्धचालक में,अशुद्धि परमाणुओं द्व | vedclass

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Question

(C) $n$-प्रकार के अर्धचालक में,आंतरिक अर्धचालक (जैसे $Si$ या $Ge$) में पंचसंयोजी अशुद्धि परमाणु (जैसे $P, As, Sb$) मिलाए जाते हैं।ये अशुद्धि परमाणु चा

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बैंड अंतराल (band gap) में और चालन बैंड के करीब।

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(C) $n$-प्रकार के अर्धचालक में,आंतरिक अर्धचालक (जैसे $Si$ या $Ge$) में पंचसंयोजी अशुद्धि परमाणु (जैसे $P, As, Sb$) मिलाए जाते हैं।ये अशुद्धि परमाणु चालन के लिए अतिरिक्त इलेक्ट्रॉन प्रदान करते हैं।इन दाता इलेक्ट्रॉनों के अनुरूप ऊर्जा स्तरों को दाता ऊर्जा स्तर $(E_D)$ कहा जाता है।ये दाता ऊर्जा स्तर वर्जित ऊर्जा अंतराल (forbidden energy gap) में,चालन बैंड के किनारे $(E_C)$ के ठीक नीचे स्थित होते हैं।चूंकि वे चालन बैंड के बहुत करीब होते हैं,इसलिए इलेक्ट्रॉन कमरे के तापमान पर आसानी से तापीय ऊर्जा प्राप्त कर सकते हैं और चालन बैंड में कूद सकते हैं,जिससे वे विद्युत चालकता में योगदान देते हैं।

$n$-प्रकार के अर्धचालक में,अशुद्धि परमाणुओं द्वारा दान किए गए मुक्त इलेक्ट्रॉन किन ऊर्जा स्तरों पर स्थित होते हैं?

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निम्नलिखित बैंड-ऊर्जा आरेख क्या दर्शाता है?

$P$-प्रकार के अर्धचालक में बहुसंख्यक और अल्पसंख्यक आवेश वाहक क्रमशः होते हैं:

$n$-प्रकार के अर्धचालक में, फर्मी ऊर्जा स्तर स्थित होता है

यदि जर्मेनियम क्रिस्टल में थोड़ी मात्रा में एंटीमनी मिलाया जाता है,

$p$-प्रकार के अर्धचालक में अल्पसंख्यक वाहक होते हैं

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