ઓરડાના તાપમાને આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા કેટલી હોય છે?

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા સમાન $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h = 4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. તો ડોપ્ડ સિલિકોનમાં $n_e$ કેટલું હશે?

જ્યારે સેમિકન્ડક્ટરને ડોનર અશુદ્ધિ સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે ત્યારે,

$P$-પ્રકારનો અર્ધવાહક .......

શુદ્ધ અર્ધવાહકની વાહકતા શેના દ્વારા વધારી શકાય છે?

એક સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક) માં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા સમાન $6 \times 10^8 \, m^{-3}$ છે. અમુક અશુદ્ધિ ઉમેરવાથી,ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા વધીને $9 \times 10^{12} \, m^{-3}$ થાય છે. તો નવી હોલ સાંદ્રતા કેટલી હશે?