સ્ફટિકમય સિલિકોનમાં,$Si$ પરમાણુઓ તમામ $ccp$ સ્થાનો અને દરેક એકાંતરે આવતા ટેટ્રાહેડ્રલ વોઇડ્સ (ચતુષ્ફલકીય છિદ્રો) રોકે છે. પેકિંગ કાર્યક્ષમતાનું મૂલ્ય $....\%$ ની સૌથી નજીક છે.

હેક્ઝાગોનલ ક્લોઝ પેકિંગ $(hcp)$ અને ક્યુબિક ક્લોઝ પેકિંગ $(ccp)$ અથવા ફેસ-સેન્ટર્ડ ક્યુબિક $(fcc)$ રચનાઓ સમજાવો.

એક સંયોજન બે તત્વો $X$ અને $Y$ દ્વારા બનેલું છે. તત્વ $Y$ એ ક્યુબિક ક્લોઝ પેક્ડ $(CCP)$ રચના બનાવે છે અને તત્વ $X$ ના પરમાણુઓ ચતુષ્ફલકીય છિદ્રોના એક-તૃતીયાંશ ભાગને રોકે છે. તો આ સંયોજનનું અણુસૂત્ર શું હશે?

$hcp$ બંધારણ ધરાવતા $1 \ mol$ સંયોજનમાં કુલ કેટલા છિદ્રો (voids) હાજર હોય છે?

$X$ પરમાણુઓની $ccp$ રચનામાં,$Y$ પરમાણુઓ અષ્ટફલકીય છિદ્રોનો અડધો ભાગ રોકે છે. જો દરેક એકમ કોષમાં એક $X$ પરમાણુ અને એક $Y$ પરમાણુનું $Z$ પરમાણુ વડે વિસ્થાપન થાય,તો ઘનનું અણુસૂત્ર શું થશે?

એક ધાતુ $fcc$ બંધારણ બનાવે છે. જો ખાલી જગ્યા (void) નું કદ $1.66 \times 10^{-23} \text{ cm}^3$ હોય, તો $fcc$ એકમ કોષ (unit cell) નું કદ $\text{cm}^3$ માં ગણો.