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Question

(A) एक डायोड रिवर्स बायस में तब होता है जब उसका $p$-सिरा निम्न विभव (low potential) से और $n$-सिरा उच्च विभव (high potential) से जुड़ा होता है।आइए विक

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(A) एक डायोड रिवर्स बायस में तब होता है जब उसका $p$-सिरा निम्न विभव (low potential) से और $n$-सिरा उच्च विभव (high potential) से जुड़ा होता है।आइए विकल्पों का विश्लेषण करें:$A$: $p$-सिरा $0 \ V$ (ग्राउंड) पर है और $n$-सिरा $+5 \ V$ पर है। चूंकि $0 \ V $B$: $p$-सिरा $+5 \ V$ पर है और $n$-सिरा $+10 \ V$ पर है। चूंकि $5 \ V $C$: $p$-सिरा $-12 \ V$ पर है और $n$-सिरा $-5 \ V$ पर है। चूंकि $-12 \ V $D$: $p$-सिरा $0 \ V$ (ग्राउंड) पर है और $n$-सिरा $-10 \ V$ पर है। चूंकि $0 \ V > -10 \ V$,इसलिए यह फॉरवर्ड बायस है।नोट: इस प्रकार के मानक बहुविकल्पीय प्रश्नों में आमतौर पर केवल एक विकल्प सही होता है। हालाँकि,दिए गए चित्रों के आधार पर,विकल्प $A$,$B$ और $C$ तीनों रिवर्स बायस कॉन्फ़िगरेशन का प्रतिनिधित्व करते हैं। सामान्य संरचना को देखते हुए,$A$ रिवर्स बायस डायोड का सबसे मानक निरूपण है।

निम्नलिखित परिपथों में,कौन सा डायोड रिवर्स बायस (reverse biased) है?

Similar Questions

चित्र में दिखाए गए फॉरवर्ड बायस्ड डायोड अभिलक्षणों के लिए,$I_{D} = 3 \, \text{mA}$ पर डायनेमिक प्रतिरोध $..... \, \Omega$ होगा।

सेमीकंडक्टर डायोड पर एक संक्षिप्त टिप्पणी लिखिए।

यदि एक डायोड में अग्र वोल्टेज (forward voltage) को बढ़ाया जाता है,तो अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई $\qquad$ .

किसी $p-n$ जंक्शन डायोड में जो किसी परिपथ से नहीं जुड़ा है:

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