નીચેની ગોઠવણીમાં $y = 1.0\ mm$,$d = 0.24\ mm$ અને $D = 1.2\ m$ છે. એમિટરના દ્રવ્યનું કાર્ય વિધેય $2.2\ eV$ છે. ફોટોકરન્ટને રોકવા માટે જરૂરી સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ ............. $V$ હશે.

ઉત્સર્જિત કેથોડ કિરણોની ગતિઊર્જા શેના પર આધાર રાખે છે?

ઇલેક્ટ્રિક લેમ્પ અથવા લાલ ગરમ હીટર દ્વારા મેળવવામાં આવતો વર્ણપટ કયો છે?

નીચેના વિધાનો $A$ અને $B$ ધ્યાનમાં લો અને આપેલા જવાબોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
$A$. લક્ષ્ય પદાર્થના ચુસ્ત રીતે બંધાયેલા ઇલેક્ટ્રોન $X$-રે ફોટોનનું પ્રકીર્ણન કરે છે,જેના પરિણામે કોમ્પ્ટન અસર થાય છે.
$B$. ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન સાથે થાય છે.

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે:
વિધાન $I$: માઇક્રોવેવ્સ,ઇન્ફ્રારેડ કિરણો અને અલ્ટ્રાવાયોલેટ કિરણોમાંથી,ધાતુની સપાટી પરથી ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જન માટે અલ્ટ્રાવાયોલેટ કિરણો સૌથી વધુ અસરકારક છે.
વિધાન $II$: થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિથી ઉપર,ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા એ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિના વ્યસ્ત પ્રમાણમાં હોય છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

એક ફોટોસેલમાં,$2475 \ \mathring{A}$ અને $6000 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો દ્વિ-રંગી પ્રકાશ કેથોડ પર આપાત થાય છે,જેનું વર્ક ફંક્શન $4.8 \ eV$ છે. જો પ્લેટને સમાંતર $3 \times 10^{-5} \ T$ નું સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્ર અસ્તિત્વમાં હોય,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોન દ્વારા વર્ણવેલ પથની ત્રિજ્યા ............ $cm$ હશે (ઈલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \ kg$).