ધારો કે ${n_h}$ અને ${n_e}$ એ અર્ધવાહકમાં અનુક્રમે હોલ અને કન્ડક્શન ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા છે. તો

સેમિકન્ડક્ટરના વીજભારના સંદર્ભમાં નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

$P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $57 \, meV$ પર એક્સેપ્ટર લેવલ છે. હોલ બનાવવા માટે જરૂરી પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J-s$)

$P-$ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,

શુદ્ધ સિલિકોનમાં $T = 300 \ K$ તાપમાને ઈલેક્ટ્રોન-હોલ સાંદ્રતા $7 \times 10^{15} \ m^{-3}$ છે. એન્ટિમનીને સિલિકોનમાં $10^7 \ Si$ પરમાણુ દીઠ $1$ પરમાણુના દરે અશુદ્ધિ તરીકે ઉમેરવામાં આવે છે. ધારો કે અડધા અશુદ્ધિ પરમાણુઓ તેમના ઈલેક્ટ્રોન કન્ડકશન બેન્ડમાં આપે છે. ભાર વાહકોની સંખ્યામાં થતો વધારો દર્શાવતો ઘટક શોધો. આપેલ છે: સિલિકોન પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \ m^{-3}$ છે.

ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરના ચાર્જ વિશે કયું વિધાન સાચું છે?