એક જગ્યાએ પ્રકાશનું સમીકરણ $\varepsilon = (100 \text{ V/m}) [\sin(5 \times 10^{15} \text{ s}^{-1})t + \sin(8 \times 10^{15} \text{ s}^{-1})t]$ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે, જે $2 \text{ eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $\text{eV}$ માં ગણો.

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એમિટર પ્લેટ $E$ પર એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત થાય છે. જ્યારે સ્વીચ $S_1$ બંધ હોય અને સ્વીચ $S_2$ ખુલ્લી હોય,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન $1 eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે કલેક્ટર પ્લેટ $C$ પર અથડાય છે. જો સ્વીચ $S_1$ ખુલ્લી હોય અને સ્વીચ $S_2$ બંધ હોય અને આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોન $20 eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે કલેક્ટર પ્લેટ પર અથડાય છે. એમિટર પ્લેટની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

એક ચોક્કસ ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $v_0$ છે. જ્યારે $2v_0$ આવૃત્તિનું વિકિરણ આ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $2 \times 10^6 \ m/s$ છે. જો $3v_0$ આવૃત્તિનું વિકિરણ તે જ ધાતુની સપાટી પર આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ . . . . . . છે.

$h\nu$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન જ્યારે $E_0$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે $k$ જેટલી મહત્તમ ગતિજ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો વિકિરણની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો મહત્તમ ગતિજ ઉર્જા કેટલી થશે? ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક)

$2 \ eV$ વર્કફંકશન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $6 \times 10^{14} \ Hz$ આવૃત્તિવાળું વિકિરણ આપાત કરતાં ઉત્સર્જાતા ફોટોઈલેક્ટ્રૉનની મહત્તમ ગતિઊર્જા = ........ $eV$ (આપેલ છે: $h = 6.63 \times 10^{-34} \ J \cdot s$,$1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J$). ($.49$ માં)

ધાતુની વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કરતા બમણી અને પાંચ ગણી ઉર્જા ધરાવતા બે ફોટોન ક્રમશઃ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. આ બે કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?