$h\nu$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન જ્યારે $E_0$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે $k$ જેટલી મહત્તમ ગતિજ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો વિકિરણની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો મહત્તમ ગતિજ ઉર્જા કેટલી થશે? ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક)

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરનો અભ્યાસ કરવા માટેના પ્રયોગમાં,આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ સાથે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ માં જોવા મળતો ફેરફાર આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ છે. તેનો ઢાળ (slope) અને $y$-અંતઃખંડ (intercept) અનુક્રમે કેટલા હશે?

જ્યારે $\lambda_1$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા ફોટોન એક અલગ કરેલા ગોળા પર આપાત થાય છે,ત્યારે અનુરૂપ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ મળે છે. જ્યારે $\lambda_2$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા ફોટોનનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અગાઉના મૂલ્ય કરતાં ત્રણ ગણું મળે છે. જો $\lambda_3$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશનો ઉપયોગ કરવામાં આવે,તો આ કિસ્સા માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ શોધો.

$\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશનો સ્ત્રોત એક ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે અને $2 \ \text{eV}$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો તે જ સપાટી પર $\frac{\lambda}{2}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશનો સ્ત્રોત આપાત કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($\text{eV}$ માં)? (ધાતુનું કાર્ય વિધેય $1 \ \text{eV}$ છે.)

ધાતુનું કાર્ય વિધેય ......... છે.

એક ધાતુ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક વર્ક ફંક્શન $2.4 \ eV$ છે. આપેલી ચાર તરંગલંબાઈઓમાંથી,કઈ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન થશે નહીં ($nm$ માં)?