હાઇડ્રોજન પરમાણુની પાશ્ચન શ્રેણીનો પ્રકાશ ધાતુમાંથી ફોટોઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરવા માટે સક્ષમ છે. તો ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે?

જ્યારે $\nu$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સામગ્રી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા $E$ છે. જો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $3\nu$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે?

$\phi_0$ વર્ક-ફંક્શન ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રિક પદાર્થ પર $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે (જ્યાં $\lambda < \frac{hc}{\phi_0}$). સૌથી ઝડપી ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_d$ છે. આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈમાં $\Delta \lambda$ જેટલો ફેરફાર થવાથી $\lambda_d$ માં $\Delta \lambda_d$ જેટલો ફેરફાર થાય છે. તો ગુણોત્તર $\frac{\Delta \lambda_d}{\Delta \lambda}$ કોના સમપ્રમાણમાં છે?

એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ માટે,વર્ક ફંક્શન $W_0$ છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ કેટલી હશે? ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c=$ પ્રકાશનો વેગ,$e=$ ઇલેક્ટ્રોનિક ચાર્જ)

ધારો કે $\lambda_1$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $K_1$ છે અને $\lambda_2$ તરંગલંબાઈને અનુરૂપ મહત્તમ ગતિઊર્જા $K_2$ છે. જો $\lambda_1 = 2\lambda_2$ હોય,તો:

પ્રકાશ તરંગનું વિદ્યુતક્ષેત્ર $\vec E = 10^{-3} \cos \left( \frac{2\pi x}{5 \times 10^{-7}} - 2\pi \times 6 \times 10^{14} t \right) \hat x \, N/C$ દ્વારા આપવામાં આવે છે. આ પ્રકાશ $2 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની પ્લેટ પર પડે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ................ $V$ છે.