થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કરતા ઓછી તરંગલંબાઈ '$\lambda$' ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ ઘટાડવામાં આવે જેથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોન અમુક વેગ સાથે ગતિ કરતા હોય, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ:

ધાતુનું વર્ક ફંકશન $2.51 \ eV$ છે. તો તેની થ્રેસોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

ધાતુ $A$ અને $B$ ના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર $1: 2$ છે. જો $f$ અને $2f$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ અનુક્રમે સપાટી $A$ અને $B$ પર આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

એક ધાતુની સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $6.2 \ eV$ ઉર્જાને અનુરૂપ છે અને આ સપાટી પર આપાત થતા વિકિરણ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $5 \ V$ છે. આપાત વિકિરણ કયા વિસ્તારમાં છે?

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતું વિકિરણ ધાતુ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $4.8 \ V$ છે. જ્યારે સમાન ધાતુ પર $2\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતું વિકિરણ આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.6 \ V$ છે. તો ધાતુની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

$310 \ nm$,$455 \ nm$ અને $620 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ બે માધ્યમોને અલગ કરતી સપાટી પર $45^o$ ના ખૂણે આપાત થાય છે. $455 \ nm$ ના પ્રકાશ માટે વક્રીભવનાંક $\sqrt{2}$ છે. જો $1.2 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની પ્લેટને આ માધ્યમમાં મૂકવામાં આવે,તો ધાતુની પ્લેટમાંથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $eV$ માં કેટલી હશે?