$6\, eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન એક ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,જેનું વર્ક ફંક્શન $4\, eV$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની લઘુત્તમ ગતિ ઉર્જા કેટલી હશે?

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. જ્યારે $3 \lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ તે જ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V}{6}$ છે. તો તે સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

$5000 \; \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ $1.9 \; eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ પ્લેટ પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા ............ $eV$ હશે.

સોડિયમ અને કોપરના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $2.3 \ eV$ અને $4.5 \ eV$ છે. તો તેમની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇનો ગુણોત્તર કોની નજીક છે?

$400 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી તરંગોનું વિકિરણ $Zn$,$Fe$ અને $Ni$ ધાતુઓની સપાટી પર આપાત થાય છે,જેમના કાર્ય વિધેય (work functions) અનુક્રમે $3.4 \ eV$,$4.8 \ eV$ અને $5.9 \ eV$ છે. ($hc = 1242 \ eV \ nm$ લો)
$(a)$ કોઈપણ ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(KE)$ $0.3 \ eV$ છે.
$(b)$ $Ni$ ની સપાટીમાંથી કોઈ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થતા નથી.
$(c)$ જો વિકિરણ સ્ત્રોતની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની $KE$ પણ બમણી થઈ જાય છે.
$(d)$ જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $200 \ nm$ કરતા ઓછી હોય,તો ત્રણેય ધાતુઓની સપાટીમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થશે.
સાચા વિધાનો છે:

પોટેશિયમ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ (વર્ક ફંક્શન $2 \ eV$ છે) ........... $nm$ છે.