પોટેશિયમ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ (વર્ક ફંક્શન $2 \ eV$ છે) ........... $nm$ છે.

આઈન્સ્ટાઈનનું ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ ${E_k} = h\nu - \phi$ છે. આ સમીકરણમાં ${E_k}$ શું દર્શાવે છે?

$\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે, જેનાથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે। ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? (આપેલ છે: $c = \text{પ્રકાશનો વેગ}$, $h = \text{પ્લાન્કનો અચળાંક}$, $m = \text{ઇલેક્ટ્રોનનું દળ}$)

જ્યારે કોઈ ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને $v$ આવૃત્તિના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માટેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $\frac{v}{2}$ આવૃત્તિના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V_0}{4}$ થાય છે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

$1.8 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન ધરાવતા પ્રકાશના કિરણો $1.2 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $eV$ માં કેટલું હશે?

એક ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5 \times 10^{-10} \, m$ છે. જ્યારે તેને $2 \times 10^{-10} \, m$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ મળે છે. જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ બમણી કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું થશે?