$1.8 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન ધરાવતા પ્રકાશના કિરણો $1.2 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $eV$ માં કેટલું હશે?

જ્યારે $6 eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન સપાટી પર પડે છે ત્યારે તેમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા $4 eV$ છે. તો વોલ્ટમાં સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે?

ધાતુ $A$ અને $B$ ના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર $1: 2$ છે. જો $f$ અને $2f$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ અનુક્રમે સપાટી $A$ અને $B$ પર આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

એક ચોક્કસ ધાતુની સપાટી માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $3600 \mathring A$ છે. જો ધાતુની સપાટી પર $1100 \mathring A$ ની તરંગલંબાઇ આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($\text{ eV}$ માં)?

જો $Na$ ધાતુનું કાર્ય વિધેય $2.3 \ eV$ હોય,તો તેની થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ $EM$ વર્ણપટના કયા પ્રદેશમાં આવશે?

પ્રકાશનો એક બિંદુવત સ્ત્રોત $4.8 eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોનનું ઉત્સર્જન $10^5$ ફોટોન પ્રતિ સેકન્ડના દરે કરે છે. આ ફોટોન $2.8 eV$ વર્ક ફંક્શન અને $9 mm$ ત્રિજ્યા ધરાવતા ફોટો-સેન્સિટિવ ગોળા પર આપાત થાય છે. ગોળો શરૂઆતમાં તટસ્થ છે અને ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનને તરત જ દૂર કરવામાં આવે છે. કેટલા સમય પછી ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન અટકી જશે ($s$ માં)?