$500\, K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઈલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન $1.5 \times 10^{16} \,m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22} \,m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું છે?

• A
  $n$-પ્રકારનું,જેમાં ઈલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 2.5 \times 10^{23} \,m^{-3}$ છે
• B
  $p$-પ્રકારનું,જેમાં ઈલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 5 \times 10^9 \,m^{-3}$ છે
• C
  $n$-પ્રકારનું,જેમાં ઈલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 5 \times 10^{22} \,m^{-3}$ છે
• D
  $p$-પ્રકારનું,જેમાં ઈલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 2.5 \times 10^{10} \,m^{-3}$ છે