તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતું વિકિરણ એક ફોટોસેલ પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?

  • A
    $> v \left( \frac{4}{3} \right)^{1/2}$
  • B
    $= v \left( \frac{3}{4} \right)^{1/2}$
  • C
    $< v \left( \frac{4}{3} \right)^{1/2}$
  • D
    $= v \left( \frac{4}{3} \right)^{1/2}$

Explore More

Similar Questions

ધાતુઓ $A$, $B$ અને $C$ માટે વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $1.92 eV$, $2.0 eV$ અને $5 eV$ છે. $4100 Å$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા આપાત વિકિરણ માટે કઈ ધાતુ(ઓ) ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરશે? $[h=6.63 \times 10^{-34} J s, e=1.6 \times 10^{-19} C, c=3 \times 10^8 m/s]$.

ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ:

જ્યારે ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) વધે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા:

પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $\lambda_{1} = 360 \ nm$ અને $\lambda_{2} = 600 \ nm$ માટે એક પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટીમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. $\lambda_{1}$ અને $\lambda_{2}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ માટે વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર શું છે?

$4.25\, eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન જ્યારે ધાતુ $A$ ની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_A\, eV$ અને ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _A}$ છે. $4.70\, eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન દ્વારા બીજી ધાતુ $B$ માંથી મુક્ત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ${T_B} = ({T_A} - 1.50)\, eV$ છે. જો આ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _B} = 2{\lambda _A}$ હોય,તો:

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo