जंक्शन डायोड पर रिवर्स बायस लगाने पर

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Question

(B) $p-n$ जंक्शन डायोड में,जब रिवर्स बायस लगाया जाता है,तो $p$-प्रकार की सामग्री को बैटरी के ऋणात्मक टर्मिनल से जोड़ा जाता है,जो होल्स को जंक्शन से दू

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विभव प्राचीर (potential barrier) को बढ़ाता है

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(B) $p-n$ जंक्शन डायोड में,जब रिवर्स बायस लगाया जाता है,तो $p$-प्रकार की सामग्री को बैटरी के ऋणात्मक टर्मिनल से जोड़ा जाता है,जो होल्स को जंक्शन से दूर खींचता है।इसी तरह,$n$-प्रकार की सामग्री को धनात्मक टर्मिनल से जोड़ा जाता है,जो इलेक्ट्रॉनों को जंक्शन से दूर खींचता है।परिणामस्वरूप,अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई बढ़ जाती है।अवक्षय परत का यह विस्तार विभव प्राचीर (potential barrier) में वृद्धि करता है,जिससे आवेश वाहकों के लिए जंक्शन को पार करना अधिक कठिन हो जाता है।

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चित्र में दिखाए अनुसार एक परिपथ व्यवस्थित है। आउटपुट वोल्टेज ${V}_{0}$ का मान $\ldots \ldots \text{ V}$ के बराबर है।

यदि एक $p-n$ जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस्ड (अग्र अभिनत) है, तो:

$P-N$ जंक्शन क्षेत्र में अवक्षय परत (depletion layer) किसके कारण बनती है?

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