આકૃતિમાં $P-N$ જંકશન ડાયોડનો $i-V$ લાક્ષણિક આલેખ દર્શાવેલ છે. જ્યારે $2 \; V$ નો ફોરવર્ડ બાયસ લાગુ કરવામાં આવે ત્યારે $P-N$ જંકશનનો આશરે ડાયનેમિક અવરોધ ....... $\Omega$ છે.

એક સેમિકન્ડક્ટરમાં બેન્ડ ગેપ $0.6 eV$ છે. આ સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ-ઇલેક્ટ્રોન જોડી બનાવવા માટે સક્ષમ ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક રેડિયેશનની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે ($nm$ માં)? [$hc = 1242 eV-nm$ નો ઉપયોગ કરો]

આકૃતિમાં દર્શાવેલ સર્કિટમાં વપરાયેલ ડાયોડ તમામ પ્રવાહો પર $0.5\; V$ નો અચળ વોલ્ટેજ ડ્રોપ ધરાવે છે અને તેની મહત્તમ પાવર રેટિંગ $100\; mW$ છે. મહત્તમ પ્રવાહ મેળવવા માટે ડાયોડ સાથે શ્રેણીમાં જોડાયેલ અવરોધ $R$ નું મૂલ્ય કેટલું હોવું જોઈએ? ($\Omega$ માં)

ફોરવર્ડ બાયસ્ડ $p-n$ જંકશન ડાયોડમાં,ડેપ્લેશન રિજનમાં પોટેન્શિયલ બેરિયર કયા સ્વરૂપમાં હશે?

પરિપથમાં દર્શાવેલ ડાયોડ સિલિકોન ડાયોડ છે. બિંદુઓ $A$ અને $B$ વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત .....$V$ થશે.

એક સર્કિટ અને તેના ઇનપુટ ટર્મિનલ $(V_i)$ પર લાગુ કરવામાં આવેલ સિગ્નલ નીચેની આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. કયો વિકલ્પ આઉટપુટ વેવફોર્મ $(V_0)$ નું યોગ્ય રીતે વર્ણન કરે છે? (ધારો કે ઉપયોગમાં લેવાયેલ તમામ ઉપકરણો આદર્શ છે અને $P$ ને સંદર્ભ પોટેન્શિયલ તરીકે લો.)