સિલિકોન (સાપેક્ષ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $\varepsilon_r = 12$) માં ડોપન્ટ તરીકે કામ કરતા ફોસ્ફરસ (પરમાણુ ક્રમાંક $Z = 15$) ના પાંચમા ઇલેક્ટ્રોનની બોહર ત્રિજ્યા ....... $\mathring{A}$ છે.

ઓરડાના તાપમાને આંતરિક સિલિકોનના સ્ફટિકમાં કેરિયર સાંદ્રતા $1.6 \times 10^{16} / m^3$ છે. જો ડોનર સાંદ્રતાનું સ્તર $4.8 \times 10^{20} / m^3$ હોય, તો સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ્સની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં, એક્સેપ્ટર ઊર્જાસ્તર $E_A$ એ વેલેન્સ બૅન્ડની ઉપર $57 \, meV$ અંતરે આવેલું છે। હોલનું નિર્માણ કરવા માટે જરૂરી મહત્તમ તરંગલંબાઈ ....... $\mathring{A}$ છે। (આપેલ છે: $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J \, s$, $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, $1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J$)

આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટર માટે, જો $n_h$ અને $n_e$ અનુક્રમે એકમ કદ દીઠ હોલ્સની સંખ્યા અને એકમ કદ દીઠ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા દર્શાવતા હોય, તો:

જો $n_e$ અને $v_d$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા અને ડ્રિફ્ટ વેગ હોય,તો તાપમાન વધારવામાં આવે ત્યારે શું થાય છે?

નીચે દર્શાવેલ પદાર્થના એનર્જી બેન્ડ ડાયાગ્રામમાં,ખુલ્લા વર્તુળો અને ભરેલા વર્તુળો અનુક્રમે હોલ્સ અને ઇલેક્ટ્રોન દર્શાવે છે. આ પદાર્થ કયા પ્રકારનો છે?