$ 400 \,V $ ના સ્થિતિમાનથી પ્રવેગિત થયેલા ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ આશરે કેટલી હશે ($\,nm$ માં)?

$1.5 \times 10^8 \ m/s$ ના વેગથી ગતિ કરતા ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ એક ફોટોન જેટલી છે. ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા અને ફોટોનની ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે? (આપેલ છે: $c = 3 \times 10^8 \ m/s$)

એક કણનું દળ $m$ છે. જો તેની ગતિ ઊર્જા તેના પ્રારંભિક મૂલ્ય કરતા ચાર ગણી કરવામાં આવે,તો તેની દ બ્રોગ્લી તરંગ લંબાઈમાં શું ફેરફાર થશે?

એક ઇલેક્ટ્રોનને સ્થિર સ્થિતિમાંથી $V$ વોલ્ટના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત કરવામાં આવે છે. જો ઇલેક્ટ્રોનની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ $1.227 \times 10^{-2} \, nm$ હોય,તો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $......V$ છે.

$m$ દળ અને $e$ વીજભાર ધરાવતો એક ઇલેક્ટ્રોન શરૂઆતમાં સ્થિર છે અને તે અચળ વિદ્યુતક્ષેત્ર $E$ દ્વારા પ્રવેગિત થાય છે. $t$ સમયે ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈમાં થતા ફેરફારનો દર કેટલો હશે? (સાપેક્ષવાદી અસરને અવગણો) ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક)

એક ઇલેક્ટ્રોન (દળ $m$) જેનો પ્રારંભિક વેગ $\overrightarrow{v} = v_{0} \hat{i} \left(v_{0} > 0\right)$ છે,તે વિદ્યુતક્ષેત્ર $\overrightarrow{E} = -E_{0} \hat{i} \left(E_{0} > 0\right)$ માં ગતિ કરે છે,જ્યાં $E_{0}$ અચળ છે. જો $t = 0$ સમયે ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_{0} = \frac{h}{mv_{0}}$ હોય,તો $t$ સમય પછી તેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ કેટલી થશે?