$p-n$ જંકશનનો ડેપ્લેશન રિજન (અવક્ષય વિસ્તાર):

પરિપથમાં પ્રવાહ $i$ શોધો.

આપેલ પરિપથમાં, ડાયોડને આદર્શ ગણો. જ્યારે $V_{i}$, $2 \ V$ થી વધીને $6 \ V$ થાય છે, ત્યારે પ્રવાહમાં થતો ફેરફાર ($mA$ માં) કેટલો હશે?

નીચે આપેલા વિધાનો $A$ અને $B$ ને ધ્યાનમાં લો અને આપેલા જવાબોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો:
$A:$ $P-N$ જંકશન ડાયોડમાં ફોરવર્ડ બાયસમાં ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ વધે છે.
$B:$ આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં,ફર્મી એનર્જી લેવલ ફોરબિડન ગેપની બરાબર મધ્યમાં હોય છે.

$p-n$ જંકશનના $n$-વિસ્તારમાં રહેલો એક ઇલેક્ટ્રોન $5 \times 10^5 \ m/s$ ની ઝડપથી જંકશન તરફ ગતિ કરે છે. જો જંકશનનો બેરિયર પોટેન્શિયલ $0.45 \ V$ હોય, તો બેરિયરમાંથી પસાર થયા પછી ઇલેક્ટ્રોન જે ઝડપ સાથે $p$-વિસ્તારમાં પ્રવેશ કરે છે તે શોધો (ઇલેક્ટ્રોનનો વીજભાર $e = 1.6 \times 10^{-19} \ C$ અને ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $m = 9 \times 10^{-31} \ kg$).

આપેલ પરિપથમાં $V_{AB}$ શોધો.