જર્મેનિયમને $N-$ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે તેમાં ઉમેરવામાં આવતો અશુદ્ધિ પરમાણુ કયો છે?

નીચેનામાંથી કયું અકાર્બનિક સંયોજન સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક) છે?

$n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

જ્યારે $N-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરને ગરમ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ચાર્જ કેરિયર્સ સાથે શું થાય છે?

જર્મેનિયમ $(Ge)$ માં એલ્યુમિનિયમ $(Al)$ ની અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે. જો સ્વીકારનાર અણુઓનું સંકેન્દ્રણ $N_A \cong 10^{21} \text{ atoms/m}^3$ હોય અને આંતરિક વાહક સંકેન્દ્રણ $n_i = 10^{19} \text{ m}^{-3}$ હોય,તો ઈલેક્ટ્રોનનું સંકેન્દ્રણ કેટલું હશે?

$n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,ઈલેક્ટ્રોન મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સ છે,પરંતુ તે કોઈ ઋણ વીજભાર દર્શાવતું નથી. તેનું કારણ શું છે?