$p-n$ જંકશન ડાયોડમાં ડેપ્લેશન રિજનની પહોળાઈમાં વધારો થવાનું કારણ શું છે?

સેમિકન્ડક્ટર ડાયોડમાં,રિવર્સ બાયસ કરંટ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન અને હોલ્સના ડ્રિફ્ટને કારણે હોય છે,જે શેના દ્વારા થાય છે?

$p-n$ જંકશન ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસમાં $20 \, mA$ સુધીનો પ્રવાહ સહન કરી શકે છે। ડાયોડના બે છેડા વચ્ચેનો પોટેન્શિયલ તફાવત $0.5 \, V$ છે, જે પ્રવાહથી સ્વતંત્ર માનવામાં આવે છે। જ્યારે $125 \, \Omega$ નો અવરોધ તેની સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે ત્યારે ડાયોડને ફોરવર્ડ બાયસ કરવા માટે વપરાતી બેટરીનો મહત્તમ વોલ્ટેજ કેટલો હશે ($V$ માં)?

આપેલ પરિપથમાં,$P-N$ જંકશન ડાયોડના બે છેડા વચ્ચેનો વૉલ્ટેજ પ્રવાહ પર આધાર રાખ્યા વગર $0.5 \ V$ જેટલો અચળ રહે છે. ડાયોડની મહત્તમ પાવરક્ષમતા $100 \ mW$ છે. પરિપથમાં મહત્તમ પ્રવાહ મેળવવા માટે $R$ નું મૂલ્ય $\Omega$ માં કેટલું હોવું જોઈએ?

$p-n$ જંકશન વિસ્તારમાં ડેપ્લેશન લેયર (અવક્ષય સ્તર) શેના કારણે રચાય છે?

ફોરવર્ડ બાયસ્ડ $p-n$ જંકશન ડાયોડમાં,ડેપ્લેશન રિજનમાં પોટેન્શિયલ બેરિયર કયા સ્વરૂપમાં હશે?