નીચેના પરિપથમાં જંકશન ડાયોડને તેના $I-V$ લાક્ષણિક વક્રના ની પોઈન્ટ $(0.7 \, V)$ થી ઉપર રહેવા માટે લઘુત્તમ $1 \, mA$ પ્રવાહની જરૂર છે. ની પોઈન્ટથી ઉપર ડાયોડ પરનો વોલ્ટેજ પ્રવાહથી સ્વતંત્ર છે. જો $V_B = 5 \, V$ હોય,તો $R$ નું મહત્તમ મૂલ્ય કેટલું હશે જેથી વોલ્ટેજ ની પોઈન્ટથી ઉપર રહે?

$P-N$ જંકશન ડાયોડના ફોરવર્ડ બાયસ અવરોધ અને રિવર્સ બાયસ અવરોધનો ગુણોત્તર આશરે કેટલો હોય છે?

એક $p-n$ જંકશન ડાયોડમાં, પ્રવાહ $I$ ને $I=I_{0} \left[\exp \left(\frac{e V}{k_{B} T}\right)-1\right]$ તરીકે દર્શાવી શકાય છે, જ્યાં $I_{0}$ એ રિવર્સ સેચ્યુરેશન પ્રવાહ છે, $V$ એ ડાયોડ પરનો વોલ્ટેજ છે (ફોરવર્ડ બાયસ માટે ધન અને રિવર્સ બાયસ માટે ઋણ), $I$ એ ડાયોડમાંથી વહેતો પ્રવાહ છે, $k_{B}$ એ બોલ્ટ્ઝમેન અચળાંક $(8.6 \times 10^{-5} \; eV/K)$ છે અને $T$ એ નિરપેક્ષ તાપમાન છે. જો આપેલ ડાયોડ માટે $I_{0}=5 \times 10^{-12} \; A$ અને $T=300 \; K$ હોય, તો:
$(a)$ $0.6 \; V$ ના ફોરવર્ડ વોલ્ટેજ પર ફોરવર્ડ પ્રવાહ કેટલો હશે?
$(b)$ જો ડાયોડ પરનો વોલ્ટેજ વધારીને $0.7 \; V$ કરવામાં આવે તો પ્રવાહમાં કેટલો વધારો થશે?
$(c)$ ડાયનેમિક અવરોધ શું છે?
$(d)$ જો રિવર્સ બાયસ વોલ્ટેજ $1 \; V$ થી બદલાઈને $2 \; V$ થાય તો પ્રવાહ કેટલો હશે?

થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ એટલે શું? $Ge$ અને $Si$ માટે થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજનું મૂલ્ય લખો.

$P-N$ જંક્શનમાં ડેપ્લેશન સ્તર (depletion layer) બનવાનું કારણ શું છે?

$P-N$ જંકશન ડાયોડનું બેરિયર પોટેન્શિયલ નીચેનામાંથી કઈ બાબત પર આધાર રાખતું નથી?