ચોક્કસ ધાતુમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરી શકે તેવી વિકિરણની મહત્તમ તરંગલંબાઈ $200 \ nm$ છે. $100 \ nm$ તરંગલંબાઈના વિકિરણને કારણે ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા મેળવેલી મહત્તમ ગતિઊર્જા .............. $eV$ હશે.

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $3.3 \times 10^{14} \text{ Hz}$ છે. જો આ ધાતુ પર $8.20 \times 10^{14} \text{ Hz}$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જન માટે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ આશરે ............ $V$ થશે.

થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કરતા $2$ ગણી આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે. જો આપાત આવૃત્તિને $\left(\frac{1}{3}\right)^{\text{rd}}$ કરવામાં આવે અને તીવ્રતા બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ

લિથિયમ અને કોપરનું વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $2.3 \ eV$ અને $4.0 \ eV$ છે. દ્રશ્ય પ્રકાશ (visible light) સાથે કામ કરતા ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલ માટે કઈ ધાતુ ઉપયોગી થશે? $(h = 6.6 \times 10^{-34} \ J \cdot s, c = 3 \times 10^8 \ m/s)$

ધાતુઓ $A$, $B$ અને $C$ માટે વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $1.92 eV$, $2.0 eV$ અને $5 eV$ છે. $4100 Å$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા આપાત વિકિરણ માટે કઈ ધાતુ(ઓ) ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરશે? $[h=6.63 \times 10^{-34} J s, e=1.6 \times 10^{-19} C, c=3 \times 10^8 m/s]$.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $6000 \ \mathring{A}$ થી ઘટાડીને $4000 \ \mathring{A}$ કરવામાં આવે અને વિકિરણની તીવ્રતા અચળ રાખવામાં આવે,તો: