મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિશીલતા મુક્ત હોલ્સ કરતા વધારે હોય છે કારણ કે

વિધાન-$I$: સિલિકોન સેમિકન્ડક્ટરને પેન્ટાવેલેન્ટ પદાર્થ સાથે ડોપિંગ કરવાથી,ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા વધે છે.
વિધાન-$II$: $n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર પર ચોખ્ખો ઋણ વીજભાર હોય છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો:

સેમિકન્ડક્ટરના વીજભારના સંદર્ભમાં નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં,નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

$n$-પ્રકાર અને $p$-પ્રકારના સિલિકોન સેમિકન્ડક્ટર શુદ્ધ સિલિકોનમાં નીચેનામાંથી કયા તત્વો ઉમેરીને મેળવી શકાય છે?

જર્મેનિયમ ક્રિસ્ટલ પ્લેટની સપાટીઓ પર $2.5 \,V$ નો પોટેન્શિયલ તફાવત લાગુ કરવામાં આવે છે. ક્રિસ્ટલનું ક્ષેત્રફળ $1 \,cm^2$ છે અને તેની જાડાઈ $1.0 \,mm$ છે. જર્મેનિયમમાં મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $2 \times 10^{19} \,m^{-3}$ છે અને ઇલેક્ટ્રોન તથા હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.33 \,m^2/V \cdot s$ અને $0.17 \,m^2/V \cdot s$ છે. પ્લેટમાંથી વહેતો પ્રવાહ .......... $A$ હશે.