વિધાન-$I$: સિલિકોન સેમિકન્ડક્ટરને પેન્ટાવેલેન્ટ પદાર્થ સાથે ડોપિંગ કરવાથી,ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા વધે છે.
વિધાન-$II$: $n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર પર ચોખ્ખો ઋણ વીજભાર હોય છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો:

  • A
    વિધાન-$I$ સાચું છે પરંતુ વિધાન-$II$ ખોટું છે.
  • B
    વિધાન-$I$ ખોટું છે પરંતુ વિધાન-$II$ સાચું છે.
  • C
    વિધાન-$I$ અને વિધાન-$II$ બંને સાચા છે.
  • D
    વિધાન-$I$ અને વિધાન-$II$ બંને ખોટા છે.

Explore More

Similar Questions

નીચે આપેલી અશુદ્ધિઓમાંથી કઈ અશુદ્ધિ ત્રિસંયોજક (trivalent) નથી?

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઈલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન છે અને તે $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. જો ઈન્ડિયમના ડોપિંગ પછી હોલની સાંદ્રતા $(n_h)$ વધીને $3 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય,તો ડોપ્ડ $Si$ માં ઈલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા $(n_e)$ ગણો.

અર્ધવાહકમાં વિદ્યુત વહન કોના કારણે થાય છે?

$N$-પ્રકારના અર્ધવાહક માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

જ્યારે આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે સેમિકન્ડક્ટરની વાહકતા

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo