कथन-$I$: सिलिकॉन अर्धचालक को पंचसंयोजी (pentavalent) पदार्थ के साथ डोप करने पर,इलेक्ट्रॉन घनत्व बढ़ जाता है।
कथन-$II$: $n$-प्रकार के अर्धचालक पर नेट ऋणात्मक आवेश होता है।
उपर्युक्त कथनों के आलोक में,नीचे दिए गए विकल्पों में से सबसे उपयुक्त उत्तर चुनें:

अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों को बहुसंख्यक आवेश वाहक (majority charge carriers) के रूप में प्राप्त करने के लिए,मिलाई जाने वाली अशुद्धि है

जब एक $n$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) को गर्म किया जाता है,

एक शुद्ध अर्धचालक की प्रतिरोधकता $0.5 \ \Omega m$ है। यदि इलेक्ट्रॉन और होल की गतिशीलता क्रमशः $0.39 \ m^2 / V-s$ और $0.19 \ m^2 / V-s$ है,तो आंतरिक वाहक सांद्रता की गणना करें।

एक $n$-प्रकार के अर्धचालक पर विचार करें जिसमें $n_e$ और $n_h$ क्रमशः इलेक्ट्रॉनों और होल्स की संख्या हैं।
$(A)$ होल्स अल्पसंख्यक वाहक हैं।
$(B)$ डोपेंट एक पंचसंयोजी (pentavalent) परमाणु है।
$(C)$ $n_e n_h \neq n_i^2$ (जहाँ $n_i$ अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों या होल्स की संख्या है जब वह अपने आंतरिक रूप में होता है)।
$(D)$ $n_e n_h \geq n_i^2$.
$(E)$ होल्स डोनर के कारण उत्पन्न नहीं होते हैं।
नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर चुनें।

जब एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में अशुद्धि मिलाई जाती है,तो अर्धचालक की चालकता