કોમન એમિટર એમ્પ્લીફાયરમાં ઇનપુટ વોલ્ટેજ અને આઉટપુટ વોલ્ટેજ વચ્ચેનો ફેઝ તફાવત કેટલો હોય છે ($^{\circ}$ માં)?

જો $CB$ પરિપથમાં પ્રવાહ ગેઇન $\alpha$ હોય અને $CE$ પરિપથમાં પ્રવાહ ગેઇન $\beta$ હોય,તો $\alpha / \beta$ = ......

એક $n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર કોમન-એમિટર કોન્ફિગરેશનમાં જોડાયેલ છે,જેમાં કલેક્ટર સપ્લાય $8\, V$ છે અને કલેક્ટર સર્કિટમાં જોડાયેલ $800\,\Omega$ ના લોડ અવરોધ પર વોલ્ટેજ ડ્રોપ $0.8\, V$ છે. જો કરંટ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર $\alpha = 25/26$ હોય,તો કલેક્ટર-એમિટર વોલ્ટેજ $V_{CE}$ અને બેઝ કરંટ $I_B$ કેટલા હશે?

$CE$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર એમ્પ્લીફાયર માટે,$2.0\,k\Omega$ ના કલેક્ટર અવરોધ પર ઓડિયો સિગ્નલ વોલ્ટેજ $2.0\,V$ છે. ધારો કે ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો કરંટ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર $100$ છે. જો $dc$ બેઝ કરંટ એ સિગ્નલ કરંટ કરતા $10$ ગણો રાખવો હોય,તો $2.0\,V$ ના $V_{BB}$ સપ્લાય સાથે શ્રેણીમાં જોડાયેલ $R_B$ નું મૂલ્ય ($k\Omega$ માં) કેટલું હોવું જોઈએ?

$NPN$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર પરિપથમાં,કલેક્ટર વિદ્યુતપ્રવાહ $10 \ mA$ છે. જો ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનમાંથી $95\%$ ઈલેક્ટ્રોન કલેક્ટર સુધી પહોંચતા હોય,તો બેઝ વિદ્યુતપ્રવાહ $mA$ માં કેટલો હશે?

આકૃતિમાં $npn$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો ઉપયોગ કરીને બનાવેલ કોમન એમિટર એમ્પ્લીફાયર સર્કિટ દર્શાવેલ છે. તેનો $dc$ કરંટ ગેઈન $250$ છે,$R_C = 1\,k\Omega$ અને $V_{CC} = 10\,V$ છે. $V_{CE}$ સેચ્યુરેશન (સંતૃપ્ત) અવસ્થામાં પહોંચે તે માટે લઘુત્તમ બેઝ કરંટ કેટલો હોવો જોઈએ? ($\mu A$ માં)