સેમિકન્ડક્ટરમાં ચાર્જ કેરિયર્સના પુનઃસંયોજન (recombination) અથવા નિર્માણ (generation) નો દર કયા નિયમ(ઓ) દ્વારા સંચાલિત થાય છે?

જો અર્ધવાહકમાં ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા અને હોલની સંખ્યા ઘનતાનો ગુણોત્તર $7/5$ હોય અને તેમના પ્રવાહોનો ગુણોત્તર $7/4$ હોય,તો તેમના ડ્રિફ્ટ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

એક સેમિકન્ડક્ટરમાં,ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા અનુક્રમે $8 \times 10^{18} \, m^{-3}$ અને $5 \times 10^{18} \, m^{-3}$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $2.3 \, m^2/V \cdot s$ અને $0.01 \, m^2/V \cdot s$ હોય,તો સેમિકન્ડક્ટર કયા પ્રકારનું છે?

શુદ્ધ સિલિકોનમાં, એકમ કદ દીઠ ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા $1.6 \times 10^{16} \,m^{-3}$ છે. જો સિલિકોનમાં બોરોનનું ડોપિંગ એવી રીતે કરવામાં આવે કે જેથી હોલની ઘનતા વધીને $4 \times 10^{22} \,m^{-3}$ થાય, તો ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા કેટલી હશે?

$P$-પ્રકારના જર્મેનિયમ સેમિકન્ડક્ટર મેળવવા માટે,તેને શેના વડે ડોપ કરવું જોઈએ?

શુદ્ધ અર્ધવાહકમાં $p$-પ્રકારનો અર્ધવાહક મેળવવા માટે કયા પ્રકારની અશુદ્ધિ ઉમેરવી જોઈએ?