દ્રશ્યમાન LEDs ના નિર્માણ માટે વપરાતા સેમિકન્ડક્ટરનો બેન્ડ ગેપ ઓછામાં ઓછો કેટલો હોવો જોઈએ ($eV$ માં)?

જ્યારે $2480 \; nm$ કરતા ઓછી તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણ અર્ધવાહક પર આપાત થાય છે,ત્યારે તેની વિદ્યુત વાહકતા વધે છે. અર્ધવાહક માટે બેન્ડ ગેપ $eV$ માં કેટલો હશે?

$LED$ માટે વિદ્યુતચુંબકીય વર્ણપટના દ્રશ્યમાન વિભાગમાં પ્રકાશ ઉત્સર્જિત કરવા માટે,તેનો એનર્જી બેન્ડ ગેપ કઈ રેન્જમાં હોવો જોઈએ? (પ્લાન્કનો અચળાંક,$h = 6.6 \times 10^{-34} \ J s$ અને શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ,$c = 3 \times 10^8 \ m s^{-1}$)

સોલર સેલનો $I-V$ લાક્ષણિકતા આલેખ યામ પદ્ધતિના ચોથા ચરણમાં કેમ દોરવામાં આવે છે?

ફોટોડાયોડના બાયસિંગ વોલ્ટેજમાં વધારો થતાં,ફોટોકરંટનું મૂલ્ય

$LED$ ની મહત્તમ રેટ કરેલ પાવર $2 \text{ mW}$ છે અને તે નીચેની આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $5 \text{ V}$ ના ઇનપુટ વોલ્ટેજ સાથે સર્કિટમાં વપરાય છે. અવરોધ $R$ માંથી વહેતો પ્રવાહ $0.5 \text{ mA}$ છે. $LED$ ને નુકસાન ન થાય તે સુનિશ્ચિત કરવા માટે અવરોધ $R_S$ નું લઘુત્તમ મૂલ્ય . . . . . . $\text{k}\Omega$ છે.