ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના સંદર્ભમાં સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ આપાત વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણના નીચેના ગુણધર્મ પર આધાર રાખે છે:

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?

ધાતુ $A$ અને $B$ ના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર $1: 2$ છે. જો $f$ અને $2f$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ અનુક્રમે સપાટી $A$ અને $B$ પર આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

સીઝિયમનું વર્ક ફંક્શન $2.14 \ eV$ છે. જો $0.60 \ V$ ના સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ દ્વારા ફોટોકરંટને શૂન્ય કરવામાં આવે,તો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ શોધો. (જવાબ $nm$ માં)

$E$ ઊર્જા ધરાવતો પ્રકાશ $\frac{E}{3}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર લંબરૂપે આપાત થાય છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $K$ કેટલી હશે?

જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ